Method of producing of a break-proof plate-like object, and corresponding semiconductor circuit

Verfahren zur Herstellung eines bruchfesten, scheibenförmigen Gegenstands sowie zugehörige Halbleiterschaltungsanordnung

Méthode de formation d'un objet en forme de disque résistant à la rupture, et circuit semiconducteur correspondant

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines bruchfesten scheibenförmigen Gegenstand sowie einer zugehörigen Halbleiterschaltungsanordnung, wobei ein Graben (T) im Bereich eines Sägerahmens (4) eines Trägersubstrats (1A) ausgebildet wird. An der Oberfläche des Trägersubstrats wird anschließend eine elektrisch leitende Galvanik-Keimschicht (SL) und darauf eine Galvanisierungsmaske zum Durchführen einer Galvanisierung und zum Auffüllen von freiliegenden Bereichen der Galvanisierungsmaske mit einem Galvanik-Füllmaterial (GF) durchgeführt. Nach Entfernen der Galvanisierungsmaske werden die entstehenden freiliegenden Bereiche wiederum mit schubspannungsfestem Material (TK) aufgefüllt und das Trägersubstrat von seiner Rückseite bis zu einer Enddicke (D E ) gedünnt, wobei die Enddicke (D E ) des gedünnten Trägersubstrats (1A) kleiner ist als eine Grabentiefe (h) des Grabens (T). Auf diese Weise lässt sich eine Bruchfestigkeit insbesondere von ultradünnen Halbleiterwafern wesentlich verbessern.
Semiconductor circuit arrangement comprises a thin carrier substrate (1A, B, I) containing semiconductor components (D, G, S), a galvanic seed layer (SL) formed partially on the upper surface of the carrier substrate, a galvanic filler material (GF) galvanically formed on the surface of the seed layer and a material (TK) resistant to shearing stress and formed on the surface of the carrier substrate not covered by seed layer up to the height of the filler material. An independent claim is also included for a process for the production of the semiconductor circuit arrangement.

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