Semiconductor device, and manufacturing method thereof

半導体装置、該半導体装置の製造方法

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the easiness of the processing of a wafer can be realized while securing the mechanical strength of the semiconductor wafer as it is which becomes its semiconductor layer, and further, the yield improvement and the cost cutdown of its manufacturing process can be realized. <P>SOLUTION: The semiconductor device has a semiconductor chip 3 wherein at least electrode pads 5 and a device 23 are formed on the front surface of a semiconductor layer 13, a sealing cap 2 stuck on the front surface of the semiconductor chip 3 and having in the opposite position to the device 23, a formed recess 2H, and a cavity 30 comprising the air gap formed by the recess 2H between the semiconductor chip 3 and the sealing cap 2. Hereupon, the thickness of the semiconductor chip 3 is so formed non-uniformly as to have formed steps in one-portions of its rear surface opposed to its front surface. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
【課題】半導体層となる半導体ウエハの機械的強度を確保したままでウエハ加工の容易性を実現できるとともに、製造工程における歩留まり向上及びコスト削減を実現することができる半導体装置、該半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】少なくとも電極パッド5とデバイス23とが表面の半導体層13上に形成された半導体チップ3と、半導体チップ3の表面に貼着された、デバイス23に対向する位置に凹部2Hが形成された封止キャップ2と、凹部2Hにより、半導体チップ3と封止キャップ2との間に形成された空隙から構成されるキャビティ30と、を具備し、半導体チップ3は、表面に対向する裏面の一部に段差が形成された不均一の厚さに形成されていることを特徴とする。 【選択図】図1

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