不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Nonvolatile semiconductor storage device and its fabrication process

Abstract

【課題】ホットエレクトロンの速度オーバーシュートを抑制することにより、書き込み効率を向上させることのできるNOR型フラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】第1導電型の半導体基板(1)と、半導体基板表面に対峙して形成された第2導電型の不純物拡散領域である一対のソース(2)及びドレイン拡散領域(3)と、ソース及びドレイン拡散領域に挟まれた半導体基板表面のチャネル領域(10)上に順次形成された、ゲート絶縁膜(4)、電荷蓄積層(5)、層間絶縁膜(6)、制御ゲート(7)を備える積層構造とを具備し、ソース拡散領域とチャネル領域との接合位置が積層構造のソース拡散領域に近い端部と離れて形成されている。 【選択図】 図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an NOR flash memory in which writing efficiency can be enhanced by suppressing speed overshoot of hot electrons, and to provide its fabrication process. <P>SOLUTION: The nonvolatile semiconductor storage device comprises a first conductive semiconductor substrate (1); a pair of source (2) and drain diffusion regions (3) of second conductive impurity diffusion regions formed oppositely on the surface of the semiconductor substrate; and a multilayer structure of a gate insulating film (4), a charge storage layer (5), an interlayer insulating film (6), and a control gate (7) formed sequentially in the channel region (10) on the surface of the semiconductor substrate between the source and drain diffusion regions. The junction of the source diffusion region and the channel region is formed while spaced apart from the end of the multilayer structure close to the source diffusion region. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

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